【上海IPO】半導体薄膜形成装置の拓荊科技、初値は公開価格を32.18%上回る
同社は2010年設立で、21年に株式会社化した。ハイエンドの半導体専用設備の研究開発、生産、販売、技術サービスを主業務としており、プラズマ励起化学気相成膜(PECVD)装置、原子層堆積(ALD)装置、準大気圧CVD(SACVD)装置の3シリーズからなる薄膜形成設備が主力製品。製品は14ナノメートル以上の集積回路(IC)製造に広く用いられており、10ナノメートル以下の製造工程についても実用化に向けた検証が進んでいる。21年1〜9月期の売上構成は、PECVD設備が88.69%となっている。
2021年12月期の売上高は7億5796万元(前期比73.99%増)、純利益は6848万元(前期は1148万元の純損失)。22年1〜3月期の業績予告は売上高が1億〜1億2000万元(前年同期比73.19〜107.82%増)、純損失が700万〜2000万元(同93.67%損失増〜67.78%損失減)となっている。
新規上場に伴い調達予定の10億29万元(約200億円)は、約8%の7986万元をハイエンド半導体設備生産拡大プロジェクトに、約40%の3億9948万元を先進半導体設備の技術開発・改良プロジェクトに、約27%の2億7094万元をALD設備の研究開発・産業化プロジェクトに用いる。(編集担当:今関忠馬)(イメージ写真提供:123RF)