【ソウル聯合ニュース】韓国のサムスン電子は8日(現地時間)、米カリフォルニアで開幕した「フラッシュメモリーサミット」で、世界最大容量となる1テラビット(Tb)の「V―NANDフラッシュメモリー」を初公開したと伝えた。

 V―NANDは3次元の垂直構造に回路を積み上げ集積度を高めたフラッシュメモリー技術で、主にスマートフォン(スマホ)やデジタルカメラなどのデータ保存装置として使われる。新たに公開した製品はデータを保存する3次元セルの容量を従来品の2倍に増やしたもの。

 1Tbは128ギガバイト(GB)で、映画1本の容量を1.5〜2GBとすると約60〜70本をチップ1枚に保存できる。サムスン電子はこの1TbのV―NANDメモリーを搭載した最大容量の記憶装置ソリッドステートドライブ(SSD)を来年から本格的に販売する計画だ。

 サムスン電子はあわせて、従来品から性能を画期的に高めたハイエンドSSD製品「Z―SSD」なども公開した。