【ソウル聯合ニュース】韓国のサムスン電子は25日、ソウル郊外の華城の事業場で、回路線幅が3ナノメートル(ナノは10億分の1)の半導体の出荷式を開催したと発表した。世界で初めて3ナノの量産に成功したことで、ファウンドリー(半導体受託生産)世界最大手の台湾積体電路製造(TSMC)に先行し、メモリー分野に続いてファウンドリー分野でも1位に浮上する足掛かりを築いたと評価される。

 サムスン電子は先月末、世界で初めて次世代トランジスタのGAA(Gate All Around)技術を適用した3ナノ半導体の量産を開始したと発表。従来の5ナノ半導体と比べて電力は45%削減、性能は23%向上し、面積は16%縮小したと説明した。

 同社はGAAトランジスタ構造の研究を2000年代初めから開始し、17年から3ナノの製造工程に適用した結果、今回初めて量産に成功した。

 ただ、高い歩留まり(良品率)を実現できるかどうかが真の成功の鍵との見方もある。